- 商品名稱：單晶硅壓力變送器
- 添加時間：2021-10-17 14:27:03
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單晶硅壓(ya)力(li)變送器具有(you)0.075%超(chao)高(gao)測(ce)量(liang)(liang)精(jing)度，100:1寬量(liang)(liang)程比，穩(wen)定(ding)性(xing)(xing)高(gao)、響(xiang)應(ying)速(su)度快、可靠(kao)性(xing)(xing)高(gao)，自帶HART通訊功能(neng)方便手操器調試，具有(you)本(ben)質安(an)全型、隔爆型、選配多種隔離膜片結構(gou)，多種過(guo)程連接(jie)標(biao)準，適(shi)用(yong)微(wei)壓(ya)、絕壓(ya)、負壓(ya)、高(gao)溫高(gao)壓(ya)、低溫和腐蝕條件(jian)的壓(ya)力(li)測(ce)量(liang)(liang)。
一、單晶硅壓力變(bian)送(song)器工作原(yuan)理
利用(yong)單(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)的(de)(de)壓阻效(xiao)應而構成。采用(yong)單(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)片(pian)為彈性(xing)元件，在單(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)膜片(pian)上利用(yong)集成電(dian)路(lu)的(de)(de)工藝，在單(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)的(de)(de)特定(ding)方(fang)向擴散一組等值電(dian)阻，并將電(dian)阻接成橋(qiao)路(lu)，單(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)片(pian)置于傳(chuan)感器腔內。當壓力發生變化(hua)時，單(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)產生應變，使(shi)直接擴散在上面的(de)(de)應變電(dian)阻產生與(yu)被測(ce)壓力成比例的(de)(de)變化(hua)，再(zai)由(you)橋(qiao)式電(dian)路(lu)獲得相應的(de)(de)電(dian)壓輸(shu)出信號(hao)。
二、單(dan)晶硅壓力(li)變送器技術參(can)數
測量范圍
相(xiang)對壓力：0～400Pa～35MPa
J.D壓力：0～1.75KPa～35MPa
信號輸出
4-20mA +HART通訊(xun)協議（兩線制）
測量精度
綜合誤(wu)差：0.1%（包(bao)括線性度、重復(fu)性、遲(chi)滯），特(te)殊要求可定0.075%
長期穩定性
每年優于0.15%F.S
五年優于0.2%F.S
溫度范圍
允(yun)許介質溫度：（-40～120）℃
允許環境溫度(du)：（-40～85）℃
允許(xu)儲存溫度：（-40～85）℃
溫度影響
相對于25℃：≤±0.4%標準量程
阻尼時間
0~40S連續可調
抗震動：2g 1000HZ ±0.05%g
抗沖(chong)擊：50g 11mesc
電磁兼容特性：符合IEC801標準
傳感器(qi)允許過壓：標準量程(cheng)3倍(bei)壓力
零點(dian)z.ui小(xiao)報警電流范圍：3.8mA
滿(man)度(du)z.ui大(da)報警電(dian)流范圍：21mA
啟動時間(jian)：3S 無需預(yu)熱
與介質接觸部分材料
過程(cheng)連接件：不銹鋼316， 哈氏合金C
傳感器膜(mo)片：不銹鋼(gang)316， 哈氏合金C
與介質非接觸部分(fen)材(cai)料
外(wai)殼：壓鑄鋁(lv)帶環氧樹脂涂層
傳感器充灌液:硅油 厭氧油
現(xian)場顯示(shi)(shi):液晶3 1/2精度數(shu)字式顯示(shi)(shi)器 液晶模擬條狀(zhuang)顯示(shi)(shi)器
防護等級:IP66
重量:約1Kg
防(fang)爆(bao)等級防(fang)爆(bao)型 Ex d ⅡC T5 ，本安型 Ex ia ⅡC T5
允許環境(jing)濕度:100%RH
